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Nature最新论文 X射线技术揭露芯片秘密

  Three-dimensional imaging of integrated circuits with macro- to nanoscale zoom。为了进行失效分析、设计验证和质量控制,需要对不同长度尺度的集成电路进行成像。目前,这种检查是使用不同的探针层次完成的,从毫米级的光学显微镜到纳米级的电子显微镜。在这里,论文证明Ptychographic X射线层成像可以提供集成电路的非破坏性三维视图,生成整个芯片体积的图像和任意选择的子区域的高分辨率图像。论文展示了利用16nm场效应晶体管技术生产的芯片实现18.9nm重建分辨率的方法,并将论文的结果与光刻掩模布局文件和更传统的成像方法(如扫描电子显微镜)进行了比较。该技术还应适用于其他需要平面样品三维x射线图像的科学和工程分支。

  Ptychographic X射线层成像技术可以对整个芯片进行扫描,也可以对一个特定的点进行放大以显示其电路。

  瑞士和加利福尼亚的科学家和工程师们提出了一种技术,可以揭示现代微处理器的三维设计而不破坏它。

  这项新技术被用于检测使用16纳米工艺技术制成的芯片。科学家们先是放大红色的正方形,然后是蓝色的圆形,以逐步发现更小的特征。

  Ptychographic X射线层成像可以显示一个逆变器的金属部分[右],显示电路匹配良好[中间,左]。

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